Darlington type phototransistor

ダーリントン型ホトトランジスタ

Abstract

PURPOSE:To raise the sensitivity of a Darlington type phototransistor without enlarging the size of a chip or lowering the response speed. CONSTITUTION:A transistor T1 on the lowest stage, which coverts the light that it has received in a base layer 2 into electricity and amplifies it, and a transistor on the output stage, which amplifies the output current of this transistor T1 in the first stage, are equipped on the surface of a substrate 1. The base layer 2 of the transistor T1 in the first stage is made in circular shape along the circumference. Moreover, the transistor T2 on the output stage is provided in the region surrounded by the inside periphery of the base layer 2 of the transistor T1 on the first stage out of the surface of the substrate 1.
(57)【要約】 【目的】 チップサイズを大きくしたり、応答速度を低 下させたりすることなく、ダーリントン型ホトトランジ スタを高感度化する。 【構成】 ベース層2に受けた光を光電変換して増幅す る初段トランジスタT 1 と、この初段トランジスタT 1 の 出力電流を増幅する出力段トランジスタとを基板1の表 面に備える。初段トランジスタT 1 のベース層2を基板 1の外周に沿って環状に形成する。また、出力段トラン ジスタT 2 を、基板1表面のうち初段トランジスタT 1 の ベース層2内周に囲まれた領域に設ける。

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